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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)Thorlabs摻鐿保偏光纖
- 產(chǎn)品型號(hào):
- 更新時(shí)間:2023-12-19
- 產(chǎn)品介紹:Thorlabs摻鐿保偏光纖,用于光學(xué)放大器、ASE光源和高功率脈沖和連續(xù)波激光器應(yīng)用,工作功率范圍從毫瓦到100瓦,發(fā)光波長(zhǎng)1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn),使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術(shù):Liekki納米粒子直接沉積(DND)。Lekki DND技術(shù)能夠滿足光纖應(yīng)用的要求,比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面和較高的纖芯-包層比
- 廠商性質(zhì):代理商
- 在線留言
產(chǎn)品介紹
品牌 | Thorlabs | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
Thorlabs摻鐿保偏光纖
Thorlabs摻鐿保偏光纖特性
摻鐿石英光纖,適用于~1000 nm- 1100 nm波段的光纖激光器和放大器
提供單模光纖和大模場(chǎng)光纖
包層泵浦設(shè)計(jì),用于1 mW- >100 W的輸出功率
下方出售匹配的LMA無(wú)源光纖
幾何形狀符合有源光纖的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),包層Ø125或Ø250µm
熊貓型應(yīng)力構(gòu)材用于保偏操作
Thorlabs提供保偏摻鐿光纖,用于光學(xué)放大器、ASE光源和高功率脈沖和連續(xù)波激光器應(yīng)用,工作功率范圍從毫瓦到100瓦,發(fā)光波長(zhǎng)1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn),使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術(shù):Liekki納米粒子直接沉積(DND)。Lekki DND技術(shù)能夠滿足光纖應(yīng)用的要求,比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面和較高的纖芯-包層比(大模場(chǎng)雙包層光纖)。這些光纖采用熊貓型應(yīng)力構(gòu)材設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)保偏操作。
Item # | Type | Absorption | Pump | Core | Cladding |
YB1200-6/125DC-PM | SMa | 0.55 ± 0.1 dB/m | Cladding | 7.0 ± 0.5 μm MFD | 125 ± 2 μm |
YB1200-10/125DC-PM | LMAb | 1.7 ± 0.3 dB/m | 10.0 ± 1.0 μm | 125 ± 2 μm | |
YB1200-25/250DC-PM | LMAb | 2.4 ± 0.5 dB/m | 25.0 ± 1.5 μm | 250 ± 5 μm |
單模
大模場(chǎng)
PM摻鐿光纖帶有包層泵浦(雙包層)設(shè)計(jì)。與纖芯泵浦有源光纖相比,包層泵浦雙包層光纖效率更高,輸出功率更高。包層泵浦光纖為雙包層,意味著光纖的鍍層作為第二包層,允許*包層具備波導(dǎo)功能。一般地,雙包層光纖的纖芯為低數(shù)值口徑單模光纖(SM)或者大模場(chǎng)(LMA)光纖,用于光的受激發(fā)射;*包層為大的數(shù)值口徑和多模,用于泵浦光。
我們還提供纖芯泵浦和包層泵浦配置的非保偏標(biāo)準(zhǔn)摻鐿光纖。
摻鐿保偏包層泵浦光纖的橫截面。
Active Fibers Selection Guide | ||
Ytterbium-Doped SM and LMA | Ytterbium-Doped PM | Erbium-Doped SM and LMA |
包層泵浦、雙包層SM和LMA保偏光纖
Item # | YB1200-6/125DC-PM | YB1200-10/125DC-PM | YB1200-25/250DC-PM |
Cladding Geometry | Round | ||
MFD | 7.0 ± 0.5 μm | 11.1 µma | 20.0 µma |
Peak Cladding Absorption @ 976 nm (Nominal) | 2.4 dB/m | 7.4 dB/m | 10.3 dB/m |
Cladding Absorption @ 920 nm | 0.55 ± 0.1 dB/m | 1.7 ± 0.3 dB/m | 2.4 ± 0.5 dB/m |
Core Diameter | - | 10.0 ± 1.0 µm | 25.0 ± 1.5 µm |
Cladding Diameter | 125 ± 2 μm | 125 ± 2 μm | 250 ± 5 μm |
Coating (Second Cladding) Diameter | 245 ± 15 μm | 245 ± 15 μm | 350 ± 15 μm |
Core Numerical Aperture (NA) | 0.12a | 0.08 ± 0.005 | 0.062 ± 0.005 |
Cladding NA | ≥0.48 | ≥0.48 | ≥0.48 |
Coating Material | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate | Low-Index Acrylate |
Core Concentricity Error | ≤1.0 μm | ≤1.0 μm | ≤1.0 μm |
Proof Test | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi |
Birefringence | ≥2.0 x 10-4 | ≥1.4 x 10-4 | ≥1.6 x 10-4 |
Core Index | Proprietaryb | ||
Cladding Index | Proprietaryb |
a. 標(biāo)稱值
b. 很抱歉我們無(wú)法提供這個(gè)zhuan利信息。
匹配的無(wú)源LMA光纖
Item # | P-6/125DC-PM | P-10/125DC-PM |
Matching Active Fiber | YB1200-6/125DC-PM | YB1200-10/125DC-PM |
Cladding Geometry | Round | |
Core Diameter | 7 ± 0.5 µma | 10 ± 1.0 µm |
Cladding Diameter | 125 ± 2 μmb | |
Coating (Second Cladding) Diameter | 245 ± 15 μm | |
Core Numerical Aperture (NA) | 0.120 (Nominal) | 0.08 ± 0.005 |
Cladding NA | ≥0.48 | |
Coating Material | Low-Index Acrylate | |
Proof Test | ≥100 kpsi | |
Core Index | Proprietaryc | |
Cladding Index | Proprietaryc |
a. 纖芯直徑規(guī)格是指在1060 nm處的遠(yuǎn)場(chǎng)模場(chǎng)直徑。
b. 包層尺寸是指平均包層直徑;大包層直徑≤128 µm。
c. 很抱歉我們無(wú)法提供這個(gè)zhuan利信息。
損傷閥值
激光誘導(dǎo)的光纖損傷
以下教程詳述了無(wú)終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機(jī)制,包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時(shí))的損傷機(jī)制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機(jī)制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如,接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機(jī)制的小值的限制。
雖然可以使用比例關(guān)系和一般規(guī)則估算損傷閾值,但是,光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應(yīng)用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南,估算大程度降低損傷風(fēng)險(xiǎn)的安全功率水平。如果遵守了所有恰當(dāng)?shù)闹苽浜瓦m用性指導(dǎo),用戶應(yīng)該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件;如果有元件并未大功率,用戶應(yīng)該遵守下面描述的"實(shí)際安全水平"該,以安全操作相關(guān)元件??赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括,但不限于,光纖耦合時(shí)未對(duì)準(zhǔn)、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關(guān)于特定應(yīng)用中光纖功率適用能力的深入討論,請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持techsupport-cn@thorlabs.com。
Quick Links |
Damage at the Air / Glass Interface |
Intrinsic Damage Threshold |
Preparation and Handling of Optical Fibers |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時(shí),光會(huì)入射到這個(gè)界面。如果光的強(qiáng)度很高,就會(huì)降低功率的適用性,并給光纖造成性損傷。而對(duì)于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言,高強(qiáng)度的光產(chǎn)生的熱量會(huì)使環(huán)氧樹脂熔化,進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機(jī)制
光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件,紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同,與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小,耦合單模(SM)光纖時(shí)尤其如此,因此,對(duì)于給定的功率密度,入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值:一種理論損傷閾值,一種"實(shí)際安全水平"。一般而言,理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下,可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。而"實(shí)際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險(xiǎn)。超過(guò)實(shí)際安全水平操作光纖或元件也是有可以的,但用戶必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說(shuō)明,并在使用前在低功率下驗(yàn)證性能。
計(jì)算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過(guò)模場(chǎng)直徑(MFD)定義的,它是光通過(guò)光纖的橫截面積,包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時(shí),入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD,才能達(dá)到良好的耦合效率。
例如,SM400單模光纖在400 nm下工作的模場(chǎng)直徑(MFD)大約是Ø3 µm,而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來(lái)計(jì)算:
SM400 Fiber: Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平,將功率密度乘以有效面積。請(qǐng)注意,該計(jì)算假設(shè)的是光束具有均勻的強(qiáng)度分布,但其實(shí),單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀,使得光束中心的密度比邊緣處更高,因此,這些計(jì)算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對(duì)應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源,通過(guò)估算的功率密度,就可以確定對(duì)應(yīng)的功率水平:
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實(shí)際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實(shí)際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定,一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果,Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大,降低了光纖端面的功率密度,因此,較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對(duì)無(wú)終端(裸露)的石英光纖,適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前,必須驗(yàn)證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性,因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。
這是在大多數(shù)工作條件下,入射到光纖端面且不會(huì)損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過(guò)環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過(guò)接頭耦合到光纖時(shí),沒(méi)有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會(huì)散射到光纖的外層,再進(jìn)入插芯中,而環(huán)氧樹脂用來(lái)將光纖固定在插芯中。如果光足夠強(qiáng),就可以熔化環(huán)氧樹脂,使其氣化,并在接頭表面留下殘?jiān)?。這樣,光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點(diǎn),造成耦合效率降低,散射增加,進(jìn)而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長(zhǎng),出于以下幾個(gè)原因。一般而言,短波長(zhǎng)的光比長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射更強(qiáng)。由于短波長(zhǎng)單模光纖的MFD較小,且產(chǎn)生更多的散射光,則耦合時(shí)的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風(fēng)險(xiǎn),可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無(wú)環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實(shí)線表示)。
確定具有多種損傷機(jī)制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如,光纖跳線),而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。
例如,右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學(xué)接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長(zhǎng)下適用的總功率受到在任一給定波長(zhǎng)下,兩種限制之中的較小值限制(由實(shí)線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍(lán)色實(shí)線),而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實(shí)線)。
對(duì)于多模光纖,有效模場(chǎng)由纖芯直徑確定,一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的有效模場(chǎng)。因此,其光纖端面上的功率密度更低,較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變,這樣,多模光纖的大適用功率就會(huì)受到插芯和接頭終端的限制。
請(qǐng)注意,曲線上的值只是在合理的操作和對(duì)準(zhǔn)步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是,光纖經(jīng)常在超過(guò)上述功率水平的條件下使用。不過(guò),這樣的應(yīng)用一般需要專業(yè)用戶,并在使用之前以較低的功率進(jìn)行測(cè)試,盡量降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。但即使如此,如果在較高的功率水平下使用,則這些光纖元件應(yīng)該被看作實(shí)驗(yàn)室消耗品。
光纖內(nèi)的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機(jī)制外,光纖本身的損傷機(jī)制也會(huì)限制光纖使用的功率水平。這些限制會(huì)影響所有的光纖組件,因?yàn)樗鼈兇嬖谟诠饫w本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會(huì)使其無(wú)法全反射,光在某個(gè)區(qū)域就會(huì)射出光纖,這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高,會(huì)燒壞光纖涂覆層和周圍的松套管。
有一種叫做雙包層的特種光纖,允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo),從而降低彎折損傷的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角,射出纖芯的光就會(huì)被限制在包層內(nèi)。這些光會(huì)在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個(gè)局部點(diǎn)漏出,從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷售0.22 NA雙包層多模光纖,它們能將適用功率提升百萬(wàn)瓦的范圍。
光暗化
光纖內(nèi)的第二種損傷機(jī)制稱為光暗化或負(fù)感現(xiàn)象,一般發(fā)生在紫外或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光,尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長(zhǎng)下工作的光纖隨著曝光時(shí)間增加,衰減也會(huì)增加。引起光暗化的原因大部分未可知,但可以采取一些列措施來(lái)緩解。例如,研究發(fā)現(xiàn),羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化,其它摻雜物比如氟,也能減少光暗化。
即使采取了上述措施,所有光纖在用于紫外光或短波長(zhǎng)光時(shí)還是會(huì)有光暗化產(chǎn)生,因此用于這些波長(zhǎng)下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對(duì)于具體的產(chǎn)品,用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊(cè)中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E,損傷閾值的計(jì)算才會(huì)適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源,以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前,一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的,沒(méi)有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外,如果是裸纖,使用前應(yīng)該剪切,用戶應(yīng)該檢查光纖末端,確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng),用戶先應(yīng)該在低功率下驗(yàn)證熔接的質(zhì)量良好,然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差,會(huì)增加光在熔接界面的散射,從而成為光纖損傷的來(lái)源。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時(shí),用戶應(yīng)該使用低功率;這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭,有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項(xiàng)
一般而言,光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作,但在理想的條件下(佳的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面),光纖元件適用的功率可能會(huì)增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗(yàn)證光纖的性能和穩(wěn)定性,然后再提高輸入或輸出功率,遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項(xiàng)是一些有用的建議,有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。
要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對(duì)準(zhǔn)步驟也是重要的。在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中,在取得佳耦合前,光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時(shí),會(huì)發(fā)生散射引起損傷
使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中,可以增大適用的功率,因?yàn)樗梢源蟪潭鹊販p少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來(lái)制備,并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射,或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域,從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后,應(yīng)該在低功率下使用光源測(cè)試并對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率,同時(shí)周期性地驗(yàn)證所有組件對(duì)準(zhǔn)良好,耦合效率相對(duì)光學(xué)耦合功率沒(méi)有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時(shí),大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出,從而在局部形成產(chǎn)生高熱量,進(jìn)而損傷光纖。請(qǐng)?jiān)诓僮鬟^(guò)程中不要破壞或突然彎曲光纖,以盡可能地減少?gòu)澢鷵p耗。
用戶應(yīng)該針對(duì)給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如,大模場(chǎng)光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用,因?yàn)榍罢呖梢蕴峁└训墓馐|(zhì)量,更大的MFD,且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用,因?yàn)檫@些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。
包層泵浦的LMA摻鐿保偏光纖,雙包層
應(yīng)用
低成本激光打標(biāo)
高平均功率脈沖放大器
中高功率脈沖和連續(xù)激光器
材料處理
雷達(dá)(LIDAR)
包層泵浦設(shè)計(jì)
單模(SM)或大模場(chǎng)(LMA)操作
高泵浦吸收、光暗化效應(yīng)低
高斜率效率(74 - 82%)
這種摻鐿雙包層光纖非常適合高達(dá)20瓦的中高功率應(yīng)用,包括光纖功率放大器。高效工作的典型斜率效率為74%到82%。用于LMA版本的匹配無(wú)源光纖在下面有售。
每種光纖的斜率效率圖請(qǐng)查看下表
主要特性 | |
YB1200-6/125DC-PM | 遠(yuǎn)程通信幾何形兼容光柵和組合器等標(biāo)準(zhǔn)組件 |
YB1200-10/125DC-PM | 包層高吸收率和單模纖芯是基于光纖的功率放大器的理想選擇 |
YB1200-25/250DC-PM | 高包層吸收率和高效率用于高平均功率脈沖光纖放大器 |
Item # | Cladding | Absorption | Core | Cladding | Coating | Core | Cladding | Slope | Core | Cladding |
YB1200-6/125DC-PM | Round | 0.55 ± 0.1 dB/m | 7.0 ± 0.5 µm MFD | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.12a | ≥0.48 | Proprietaryb | Proprietaryb | |
YB1200-10/125DC-PM | 1.7 ± 0.3 dB/m | 10.0 ± 1.0 µm | 125 ± 2 µm | 245 ± 15 µm | 0.080 ± 0.005 | ≥0.48 | ||||
YB1200-25/250DC-PM | 2.4 ± 0.5 dB/m | 25.0 ± 1.5 µm | 250 ± 5 µm | 350 ± 15 µm | 0.062 ± 0.005 | ≥0.48 |
a. 標(biāo)稱值
b. 很遺憾,我們無(wú)法提供這個(gè)已獲zhuan利的信息。
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
YB1200-6/125DC-PM | 摻鐿單模雙包層保偏光纖,芯徑6 µm |
YB1200-10/125DC-PM | 摻鐿LMA雙包層保偏光纖,芯徑10 µm |
YB1200-25/250DC-PM | 摻鐿LMA雙包層保偏光纖,芯徑25 µ |
匹配的雙包層無(wú)源保偏光纖
經(jīng)過(guò)優(yōu)化以耦合有源摻雜光纖
提供單模和大模場(chǎng)(LMA)選項(xiàng)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu),易于操作
保偏
這些無(wú)源PM光纖與上面出售的YB1200-10/125DC-PM和YB1200-10/125DC-PM雙包層有源光纖的模場(chǎng)匹配。選擇合適的纖芯直徑和數(shù)值孔徑匹配有源光纖,以維持通過(guò)光纖激光器或放大器的光束質(zhì)量。
這些無(wú)源光纖鍍有低折射率的丙烯酸酯,用于泵浦有源光纖。如有特殊要求,也可提供高折射率丙烯酸酯鍍膜;具體請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持。
Item # | Compatible | Cladding | Core | Cladding | Coating (Second | Core NA | Cladding NA | Proof Test | Core Index | Cladding Index |
P-6/125DC-PM | YB1200-6/125DC-PM | Round | 7 ± 0.5 µma | 125 ± 2 µmb | 245 ± 15 µm | 0.120 (Nominal) | ≥0.48 | ≥100 kpsi | Proprietaryc | Proprietaryc |
P-10/125DC-PM | YB1200-10/125DC-PM | 10 ± 1 µm | 0.08 ± 0.005 |
很抱歉我們無(wú)法提供這個(gè)已獲zhuan利的信息。
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
P-6/125DC-PM | NEW!無(wú)源PM單模雙包層光纖,芯徑6 µm,匹配YB1200-6/125DC-PM |
P-10/125DC-PM | NEW!無(wú)源PM LMA雙包層光纖,芯徑10 µm,匹配YB1200-10/125DC-PM |
損傷的光纖端面